[摘要]感應加熱電源的發展是非常的快，這也是因為傳統的加熱方式的缺陷，而感應加熱的優勢更好能夠彌補傳統的缺陷，所以下面給大家詳細講解一下它的
發展史。
感應加熱電源的發展是非常的快，這也是因為傳統的加熱方式的缺陷，而感應加熱的優勢更好能夠彌補傳統的缺陷，所以下面給大家詳細講解一下它的
發展史。
70至80年代初，人們將現代半導體微集成加工技術與功率半導體技術進行結合，相繼開發出一大批全控電力電子半導體器件 （GTR、MOSFET、SIT、SITH
及MCT等），為全固態超音頻、高頻電源的研制打下了堅實的基礎。
而在歐美，由于SIT存在高通態損耗 （SIT工作于非飽和區）等缺陷，其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化，
MOSFET高頻感應加熱電源的容量得到了飛速發展。西班牙采用MOSFET的電流型感應加熱電源制造水平達600kW、400kHz，德國在1989年研制的電流型
MOSFET感應加熱電源水平達480kW、50～200kHz，比利時I nductoEiphiac公司生產的電流型MOSFET感應加熱電源水平可達1000kW、15～600kHz。浙江大
學在 90年代研制出 20kW、300kHz MOSFET高頻電源，已被成功應用于小型刀具的表面熱處理和飛機渦輪葉片的熱應力考核。
感應加熱電源主要使用中頻段的晶閘管，超音頻頻段的IGBT。 在高頻段，由于SIT存在傳導損耗大的缺陷，目前國際上主要開發MOSFET電源。 雖然感應
加熱電源采用諧振逆變器，有利于功率器件軟開關的實現，但感應加熱電源通常功率較大，對功率器件、無源器件、電纜、布線、 接地和屏蔽。 因此
，實現高頻感應加熱電源仍有許多基礎應用技術需要進一步探索。 特別是新型高頻大功率器件（如MCT、IGBT和SIT功率器件）的出現，將進一步推動高頻感應加熱電源的發展。
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